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电子敏感CMOS部件除气方法

李桐桐 肖超 焦岗成 闫磊 樊海波 马靖 李成林

李桐桐, 肖超, 焦岗成, 闫磊, 樊海波, 马靖, 李成林. 电子敏感CMOS部件除气方法[J]. 应用光学, 2022, 43(6): 1181-1186. doi: 10.5768/JAO202243.0604019
引用本文: 李桐桐, 肖超, 焦岗成, 闫磊, 樊海波, 马靖, 李成林. 电子敏感CMOS部件除气方法[J]. 应用光学, 2022, 43(6): 1181-1186. doi: 10.5768/JAO202243.0604019
LI Tongtong, XIAO Chao, JIAO Gangcheng, YAN Lei, FAN Haibo, MA Jing, LI Chenglin. Degassing method of electronic sensitive CMOS components[J]. Journal of Applied Optics, 2022, 43(6): 1181-1186. doi: 10.5768/JAO202243.0604019
Citation: LI Tongtong, XIAO Chao, JIAO Gangcheng, YAN Lei, FAN Haibo, MA Jing, LI Chenglin. Degassing method of electronic sensitive CMOS components[J]. Journal of Applied Optics, 2022, 43(6): 1181-1186. doi: 10.5768/JAO202243.0604019

电子敏感CMOS部件除气方法

doi: 10.5768/JAO202243.0604019
基金项目: 国家自然科学基金(U2141239)
详细信息
    作者简介:

    李桐桐(1995—),女,硕士,助理工程师,主要从事数字化微光器件研究。E-mail:Littka@126.com

  • 中图分类号: TN366

Degassing method of electronic sensitive CMOS components

  • 摘要: 电子轰击有源像素传感器(electron bombarded active pixel sensor, EBAPS)作为真空-固体混合型微光器件,其性能和工作寿命一定程度上取决于器件内部真空度保持情况。分析造成EBAPS器件真空度下降的原因,推断出真空度恶化的严重后果,提出提高和保持EBAPS器件内部真空度的手段,通过搭建超高真空除气系统对EBAPS器件中核心部件电子敏感CMOS部件的放气特性进行了研究,并根据研究结果得到最佳的除气工艺参数,为EBAPS数字化微光器件的制备提供了技术基础。
  • 图  1  EBAPS器件结构示意图

    Fig.  1  Structure diagram of EBAPS device

    图  2  电子敏感CMOS部件除气系统示意图

    1-样品;2-样品放置夹具;3-超高真空腔室;4-四极质谱仪;5-PLC温度控制系统;6-热电偶;7-离子泵;8-分子泵;9-机械泵;10-阀门。

    Fig.  2  Schematic diagram of degassing system for electronic sensitive CMOS component

    图  3  实验前质谱峰分布

    Fig.  3  Mass spectrum peak distribution before experiment

    图  4  不同烘烤温度下4种气体的离子流变化

    Fig.  4  Changes of ion flow of four gases at different drying temperatures

    图  5  4种气体在260 ℃下烘烤3天的离子流变化

    Fig.  5  Changes of ion flow of four gases baked at 260 ℃ for 3 days

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出版历程
  • 收稿日期:  2022-09-04
  • 修回日期:  2022-10-11
  • 网络出版日期:  2022-11-09
  • 刊出日期:  2022-11-14

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